电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果

文林; 张军; 郭旗; 任迪远; 孙静; 郑玉展; 王改丽

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电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果

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针对电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果评估方法及理论计算在器件屏蔽封装中应用的问题,本文通过理论计算一种屏蔽材料对1.0MeV电子的屏蔽效果,以及对应的实验验证,指出此种屏蔽材料有很好的屏蔽电子辐射作用.研究证明了理论与实验相互验证的方法能很好的评估屏蔽材料的屏蔽效果,同时指出理论计算的结果能在屏蔽材料设计中作为依据.

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来源
《新疆大学学报（自然科学版）》|2008年第3期|322-324|共3页
作者
文林; 张军; 郭旗; 任迪远; 孙静; 郑玉展; 王改丽;
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作者单位

新疆大学物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

新疆大学物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

新疆大学物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

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正文语种 chi
中图分类 TL11;
关键词
屏蔽材料; 理论计算; MOS; 电子辐照;

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