用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光

摘要

将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0 5mm的SiC多晶薄片 .X射线衍射 (XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为 3C SiC多晶体 .采用He Cd激光 3 2 5nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光 (PL)测试分析 .PL实验结果表明随着温度的变化 ,PL发光中心发生蓝移 ,其中心由 2 13eV移至 2 .3 9eV .