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王锋; 陈春花; 陈瑞美;
泉州师范学院物理与信息工程学院,福建泉州362000;
非晶多层膜; Co/Ge; 磁性半导体; 自旋极化;
机译:激光结晶纳米晶Ge膜和纳米晶Ge / SiNx多层膜的结构和电性能
机译:具有非晶结构的金属半导体多层膜的电性能
机译:用SiO_2非晶层盖住Fe / Pt多层膜的磁性和微观结构,用于磁记录使用
机译:氟化非晶碳(a-C:F(x))和氮化铝(AlN)膜的电性能。
机译:Ge2Sb2Te5相变存储材料中的压力诱导可逆非晶化和非晶-非晶过渡
机译:过渡金属和原始金属的非晶膜:一些结构,电和磁性能
机译:metallische multilagen中的amorfisatie门Interdiffusie(通过金属多层膜中的相互扩散进行非晶化)
机译:非晶合金膜,磁性多层膜和光学磁记录介质
机译:非晶碳氮化物膜的形成方法,非晶碳氮化物膜,多层抗蚀剂膜,半导体装置的制造方法以及存储控制程序的存储介质
机译:非晶碳膜的形成方法,非晶碳膜,多层抗蚀剂膜,半导体装置的制造方法以及计算机可读存储介质
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