激光蒸发产生的Ga_xAs_y^-、Ga_xP_y^-与In_xP_y^-及其质谱

摘要

在自制的激光等离子体源飞行时间质谱计上,以脉冲激光束轰击砷化镓、磷化镓、磷化铟等由Ⅲ A族和Ⅴ A族元素组成的半导体材料,可以产生Ga_xAs_y^-、Ga_xP_y^-与In_xP_y^-等二元原子簇负离子,质谱分析发现,在这些负离子中,所有含奇数个原子的簇离子的信号强度相对较高,说明这些原子簇均具有特殊的电子构型。