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江孟蜀;
渝州大学物理系;
发光隧道结; 薄膜发光器件; 结构;
机译:正负和反向偏压下基于ZnO:Cu / p-GaN异质结的发光二极管的多色电致发光
机译:YBa_(2Cu)3O_7电极上生长的超薄SrTiO_3隧道势垒的结构和电学表征,用于发展高T_c约瑟夫森结
机译:Fe / MgO / Fe隧道结的界面结构和偏压依赖性:从头算
机译:利用化合物半导体Cu(In,Ga)Se_2制备新的磁性隧道结并具有高输出特性
机译:基于隧道结的紫外发光二极管
机译:Co90Fe10 / BiFeO3 / SrRuO3 / PMN-PT异质结构中交换偏压的应变介导电场控制
机译:金属 - 绝缘体 - 金属和金属 - 绝缘体 - 半导体隧道结的高偏压研究
机译:III族氮化物发光器件,例如发光二极管,包括在第一和第二导电类型的第一层之间的有源区,在第一和第二导电类型的第一和第二层之间的隧道结和触点
机译:具有氧化物铁磁性导电电极和三层结构隧道膜的隧道结装置
机译:透明导电氧化物的涂覆方法,例如用于发光二极管,涉及直接在由有机半导体材料制成的高结构化基板上溅射透明导电氧化物材料
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