Zn1-xCoxO稀磁半导体的XAFS研究

史同飞; 朱三元; 吴文清; 张国斌; 闫文盛; 孙治湖; 刘文汉; 韦世强

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Zn1-xCoxO稀磁半导体的XAFS研究

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利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.

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来源
《中国科学技术大学学报》|2007年第5期|539-543|共5页
作者
史同飞; 朱三元; 吴文清; 张国斌; 闫文盛; 孙治湖; 刘文汉; 韦世强;
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作者单位

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026;

中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类扩展Ｘ射线吸收精细结构（EXAFS）;
关键词
XAFS; Zn1-xCoxO稀磁半导体; 溶胶-凝胶法;

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