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胡明; 刘志刚; 张之圣; 王文生;
天津大学电子信息工程学院;
InSb薄膜; 真空蒸发; 霍尔元件; 电子迁移率;
机译:高灵敏度INSB薄膜霍尔元件和磁性材料通过非接触式传感器启动电子控制的电动机时代
机译:答复M. Oszwaldowski [J.教授的文章“掺Sn的InSb薄膜的传输特性及其在霍尔元件中的应用[J. Crys Growth 251(2003)560]”的评论。 Crys Growth 260(2004)600]'
机译:评论“掺锡InSb薄膜的传输特性及其在霍尔元件中的应用”一文。晶体生长251(2003)560]
机译:在没有磁场的SN掺杂的INSB单晶薄膜厅元件的霍尔电压电极之间出现非常小的电压振荡的测量值和非常小的磁场检测
机译:铁磁金属薄膜中的异常霍尔效应。
机译:纳米晶体的制作硅薄膜用于通过热真空蒸发制备的光电器件
机译:一种用于研究金属间化合物薄膜磁光特性的真空蒸发器
机译:用于霍尔元件的insb薄膜装置的制造方法
机译:霍尔元件用InSb薄膜的制造方法及设备
机译:用于霍尔元件的InSb薄膜的制造方法
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