首页> 中文期刊> 《天津大学学报:自然科学与工程技术版》 >伸缩振动频率、基团电负性和硅烷基中硅的原子势(英文)

伸缩振动频率、基团电负性和硅烷基中硅的原子势(英文)

         

摘要

计算了硅烷基(-SiABC)的基团电负性(x)和硅烷基中硅原子的原子势(n/r),并研究了Si-H和Si-D键的振动频率(v)与硅烷基的基团电负性(x)及硅烷基中硅原子的原子势(n/r)的关系。获得如下关系式γ·μ^(1/2)=235 x_(-SiABC)+1600 γ·μ^(1/2)=80 (n/r)_(-SiABC)+1758 其中,γ、μ、x_(-SiABC)、n和r分别为振动频率(cm^(-1))、约化质量、基团电负性、硅原子的有效电子个数及有效原子半径。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号