首页> 中文期刊> 《苏州大学学报:自然科学版》 >简立方晶格键和座稀疏横向伊辛系统的临界特性

简立方晶格键和座稀疏横向伊辛系统的临界特性

         

摘要

本文在有限集团近似的框架内分别研究了自旋1/2简立方晶格键和座稀疏横向伊辛自旋系统的临界特性,获得了相图、临界温度、临界横场和键与座浓度阈值,讨论了横场和键与座浓度对临界温度的影响,并给出了较满意的结果。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利