ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺？…

摘要

本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近在辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究，样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率。实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃迁的激活能力为０．４５ｅｖ。