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廖勇明; 杨仕钟; 陈振; 游志朴;
四川大学物理系;
掺钯; 硅快恢复二极管; VF-TRR兼容性; 反恢复时间; 反向漏电流; 性能指标;
机译:掺钯硅中杂质缺陷络合物的电物理性质和结构的研究
机译:掺钯硅重要缺陷复合物的电物理性质和结构研究
机译:基于4H-SiC的超快漂移逐步恢复二极管(DSRD)和真空场发射二极管
机译:SiC肖特基二极管和硅超快恢复二极管的性能比较
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:硅酮与掺有羟基磷灰石的有机硅的对比研究硅酮与掺有羟基磷灰石的有机硅作为植入材料的对比研究
机译:2014年灾害恢复的关键基础设施,紧急疏散和后勤。交通研究记录(TRR):交通研究委员会(TRR),第2459号。
机译:有机发光二极管的显示及其制造方法,使用掺有杂质的多晶硅膜作为电容器的电极
机译:超快恢复二极管
机译:基于镓和砷的双注射高压超快恢复二极管芯片的多表象结构
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