Ta:SnO2薄膜的制备与性能研究

摘要

SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.%左右。Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂。Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4+离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化。