高纯元素合成碘化汞及其单晶的生长

摘要

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘 (I2 ) ;采用“三温区汽相合成法”将高纯汞 (Hg)与高纯碘合成碘化汞(Hg I2 ) ;α- Hg I2 单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长 .分析讨论了温度场对晶体生长的影响 .实验结果表明 :汞与碘合成时对碘源区、汞源区、碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度 ,在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量 5 %左右 ,且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保 Hg I2 的纯度及汞与碘的最佳化学比 .长晶时源区温度在 12 5～ 12 6℃ ,长晶区温度在 111～ 112℃ ,源区与长晶区的温度梯度为 1℃ / cm 。