不同制备条件对硅纳米线的形貌和反射率影响

摘要

cqvip:利用两步法-金属辅助化学刻蚀法(metal-assisted chemical etching,MACE)制备硅纳米线(silicon nanowires,SINWs)样品。研究了刻蚀温度、刻蚀时间、过氧化氢(H2O2)浓度对样品SINWs的形貌和反射率影响。研究发现,随着刻蚀时间增加,SINWs样品的长度随之增加,而反射率降低。H2O2浓度提高,SINWs样品的长度也增加,在浓度为0.1 mol/L时反射率降至最低。刻蚀温度升高,SINWs样品的长度先增加,然后随着SINWs生长速率变快的同时样品的形貌结构遭到破坏,反射率呈总体上升趋势。实验结果表明,改变制备过程中的反应条件,对SINWs的形貌会具有较大影响,同时SINWs阵列的反射率也会改变。SINWs的反射率强烈依赖于SINWs的长度、规整程度和空隙率大小等。