以阳离子Gemini表面活性剂C_(12-2-12)为模板合成纯硅立方介孔材料

摘要

用Germini表面活性剂[C12H25N+(CH3)2-(CH2)2-N+(CH3)2C12H25]·2Br-作模板合成了立方结构的介孔二氧化硅,并且用小角X射线衍射和氮气吸附-脱附技术对样品进行了表征.结果表明,所得到的介孔二氧化硅为立方结构,晶胞参数在8.45-8.57 nm之间;孔道的有序性随表面活性剂与Na2SiO3比例的增大而增加.氮气吸附-脱附等温线为第Ⅳ类型的等温线,在相对压力p/p0=0.15-0.25和P/p0=0.8-1的范围内出现两个H1型滞后环,分别是由介孔孔道和颗粒之间的空穴引起的.BET表面积也随表面活性剂与Na2SiO3比例的增大而增大,最大可达1 100m2/g,最可几孔径在2.20 nm左右.