硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

摘要

利用电学测量方法 ,给出了在集成电路制造过程中 ,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃 (缺陷 )的粒径分布参数提取方法 .首先基于双桥微电子测试结构 ,通过具体制造工艺得到数据 ,然后处理得到故障的粒径分布 .再利用缺陷与故障之间的关系 ,进一步推导出缺陷粒径分布的参数 .结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型 。