GaAs探测器与放大电路的单片集成

摘要

本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。