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纳电子器件谐振隧道二极管的研制

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摘要

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6

著录项

来源
《半导体学报》 |2002年第1期|91-94|共4页
作者
梁惠来; 赵振波; 郭维廉; 张世林; 牛萍娟; 杨中月; 郝景臣; 张豫黔; 王文君; 魏碧华; 周均铭; 王文新;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

信息产业部电子第十三研究所;

中国科学院物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.2;
关键词
纳米电子器件; 谐振隧道二极管; 砷化镓;

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