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InAsPSb/InAs中红外光电探测器

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本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz^(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).

著录项

来源
《半导体学报》 |1992年第10期|623-628|共6页
作者
张永刚; 周平; 单宏坤; 潘慧珍;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所微电子学分部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光敏电阻;
关键词
光电探测器; InAsPSb/InAs;

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