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黄家乐; 毛陆虹; 陈弘达; 高鹏; 刘金彬; 雷晓荃;
天津大学电子与信息工程学院;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
单片集成; MS/RF; CMOS工艺; 硅光电探测器; 暗电流; 响应度; 结电容;
机译:通过CMOS兼容工艺在绝缘体上硅衬底上制造了超过10GHz的横向硅光电探测器
机译:与CMOS工艺兼容的室温2 x 128 PtSi / Si纳米结构光电探测器阵列
机译:具有Ge PIN光电探测器的光电传感器系统,用于CMOS兼容感测
机译:具有STI的MS / RF CMOS工艺兼容光电探测器的实验研究
机译:CMOS兼容石墨烯 - 硅光电探测器
机译:CMOS兼容氮化钛用于片上等离子肖特基光电探测器
机译:用STI的MS / RF CMOS-过程兼容光电探测器的实验研究
机译:用于互补金属氧化物半导体(CmOs)兼容光开关的硅纳米晶光电克尔效应
机译:适用于MEMS RF谐振器和滤波器的低温Bi-CMOS兼容工艺
机译:适用于MEMS RF谐振器和滤波器的低温BI-CMOS兼容工艺
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