用MOCVD方法制备的GaN_(1-x)P_x三元合金的喇曼与红外光谱

摘要

采用光辐射加热低压金属有机化学气相淀积 (L P- MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了高 P组分的 Ga N1 - x-Px 三元合金薄膜 ,通过喇曼光谱和红外反射谱技术研究了 Ga N1 - x Px 合金中 P掺杂所引入的振动模 .与非掺 P的Ga N相比 ,在 Ga N1 - x Px 合金的喇曼谱和红外反射谱中分别观测到了多个由 P所引入的振动模 ,文中将它们分别归因于 Ga- P键振动引起的准局域模、间隙模以及