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胡古今; 张雷; 戴宁; 陈良尧;
复旦大学物理系半导体物理实验室;
光电导; 超晶格; 硒化锌; 镓; 掺杂;
机译:掺杂和未掺杂的CdS / ZnSe多量子阱和超晶格的子带间和微型带间光谱-艺术。没有。 115334
机译:降低纳米(AlN) 5 sub> /(GaN) 1替代的Al 0.83 sub> Ga 0.17 sub> N无序合金中Mg受体的活化能Mg Ga sub>δ掺杂的 sub>超晶格:Mg局部结构效应
机译:Te掺杂ZnSe:Te /(CdSe)/ sub m /(ZnSe)/ sub n /短周期超晶格量子阱中的超快激子俘获
机译:MBE研究超长波长红外光电探测器InAs / Ga(In)Sb和InAsN / Ga(In)Sb超晶格
机译:使用MgGaδ掺杂降低纳米(AlN)5 /(GaN)1超晶格替代的Al0.83Ga0.17N无序合金中Mg受体的活化能:Mg局部结构效应
机译:Mg-掺杂的Al0.3ga0.7n的高导电率为Al0.4ga0.6n / Aln超晶格结构
机译:碳掺杂al(0.4)Ga(0.6)as / Gaas超晶格中的al-Ga相互扩散,碳受体扩散和孔减少:as(4)压力效应
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
机译:Ga掺杂的晶体硅,在太阳能电池的生产方式及其制造方式中,使用Ga掺杂的晶体硅生产装置的零掺杂的Ga掺杂的晶体硅,以及Ga掺杂的晶体硅
机译:包括超晶格的半导体器件,该超晶格具有至少一个包括基本上未掺杂的层的组
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