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陈之章; 韩茂畴; 王宗畔; 徐温元;
南开大学电子科学系;
机译:p型a-SiC:H /本征a-Si:H / n型a-Si:H异质结构中的负电容分析与建模
机译:在p / i界面处具有和不具有a-Si:H缓冲层的a-SiC:H / a-SiGe:H异质结薄膜太阳能电池的特性
机译:MOO_X功函数,界面结构和ITO / MOO_X / A-SI(I)堆叠的热稳定性分析,用于孔选择性硅异质结太阳能电池
机译:a-Si:H / c-Si异质界面附近的空隙结构分析:掺杂对a-Si:H中正电子an没的影响
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:利用热解 - 光致抗蚀剂薄膜(C)活性位点的柔性A-SiC基神经界面
机译:关于a-Si:H / a-SiC:H多层结构中状态界面密度的确定
机译:a-si / au和a-si / Cu薄膜双层中的界面反应
机译:具有第一层A-Si(H,X)和第二层A-SiC(HX)的光接收元件,其中第一层和第二层分别具有不均匀分布的电导率控制器
机译:具有A-SI(GE)和A-SI的光接收层并且具有多个非平行界面的构件
机译:具有A-Si光接收层的部件:Ge(C,N,O)A-Si /具有非平行界面的表面减反射层
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