硅反型层中的Anderson转变

摘要

在4.2—20K温度范围内,利用MOS器件的沟道电导率随栅压的变化,研究了Si-SiO2界面反型层中的Anderson转变.发现实验Inσ～1/T曲线外推到1/T=0时,一般都不交于一点.考虑到界面势场除具有微观无序性外,尚具有宏观不均匀性,而把反型层看成是由许多迁移率边互不相同的宏观小区域组合而成的非均匀系统;在每个小区域内,再采用均匀无序系统的定域化模型来处理.这样,计算的结果与实验符合,也有助于解释迁移率边随费米能级变化,出现磁阻振荡等反常效应.