高强度聚焦超声功率源的优化设计

摘要

高强度聚焦超声(HIFU)功率源直接影响HIFU治疗的有效性和安全性.受功率MOSFET极间电容和导通电阻等寄生参数的影响,基于E类功率放大电路的HIFU功率源实际工作特性常偏离理想条件下的理论设计值.在理论设计的基础上,结合功率MOSFET等效电路模型,采用Saber软件对HIFU功率源的E类放大电路进行仿真,得到了放大器最佳工作状态时的谐振回路参数.实验测试表明,优化后的功率源工作效率和特性有显著的提高.