铜掺杂BiVO4的制备及光生电荷性质研究

摘要

通过溶剂热的方法制备了掺杂量不同的Cu-Bi VO4纳米纺锤体,其长径约为1μm,短径长约为500nm,Cu的存在使Bi VO4光催化降解亚甲基蓝（MB）的活性明显增强.用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）及瞬态表面光电压技术（TPV）对材料的结构及光生电荷性质进行研究.XRD和SEM结果表明铜的存在对Bi VO4的晶型及形貌并没有显著的影响,而TPV的结果表明铜的存在促进了Bi VO4纳米材料光生电荷的分离,抑制其光生电荷的复合,从而提高了材料的光催化活性.