添加Ge的In_(10)Sb_(10)Ge三元合金热电性能

摘要

InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能.本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320 K到706 K的温度范围内测量其热电性能.显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符.性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W·m~(-1)·K~(-1))降低到2.4(W·m~(-1)·K~(-1)),在热传输过程中起主要作用.在708 K时In_(10)Sb_(10)Ge合金的最高ZT值为0.18.