分子动力学模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程的影响

摘要

采用基于分子动力学方法的LAMMPS(large-scale atomic/molecular massively parallel simulator)软件模拟了辐照对3C-SiC裂纹扩展过程的影响。研究结果表明,3C结构的碳化硅受到辐照后断裂形式仍为脆性断裂。随着级联叠加次数的增加,含[001](010)裂纹的碳化硅的拉伸强度出现较大幅度涨落,而延伸量在涨落过程中呈逐渐增加趋势;含有[11-2](111)裂纹的碳化硅的拉伸强度在涨落中逐渐下降,而延伸率却逐渐增加。