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袁振民;
北京机床研究所七室;
北京钢铁学院金相专业;
六二一所声发射组;
机译:脉冲射频等离子体氮化氮化硅超薄电介质层的光发射研究
机译:用钢的等离子体氮化过程中的光发射光谱研究活性物种和氮化层形成行为
机译:用于蚀刻后发射器的高屈光氮化硅层的研究:增强的选择性发射器概念的表面钝化(SECT)
机译:声红外成像技术研究缺陷中的声振动与红外发射之间的关系。
机译:在六方氮化硼上生长的二硫化钨原子层中双极激子发射的功率密度极低
机译:应力波发射技术分析脆性断裂过程中的氧氮化铝AlON(Abral)磨粒
机译:结合声发射位置和微裂纹损伤模型来研究脆性材料损伤的发展。
机译:通过pendeoepitakishiyaru方法产生脆性的氮化镓半导体结构,该方法在柱子上产生氮化镓半导体层
机译:制造N型XIII族氮化物半导体的方法,表面光发射激光器,在表面光发射激光器中制造电流夹点结构的方法,改变氮化物半导体电阻的方法以及制造半导体层的方法
机译:发射辐射的半导体元件包括具有多个氮化镓基层的碳化硅基衬底,该多个氮化镓基层包含布置在n导电层和受应力的p导电层之间的有源区。
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