Ho:Sc2SiO5可饱和吸收体被动Q开关Tm:YAlO3激光器

白冰; 祝贝贝; 张斌; 薛喻宸; 杨晓涛; 李立

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Ho:Sc2SiO5可饱和吸收体被动Q开关Tm:YAlO3激光器

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报道Ho:Sc2SiO5(Ho:SSO)晶体作为一种新型可饱和吸收体用于被动Q开关Tm:YAlO3(Tm:YAP)固体激光器.在793 nm激光二极管端面泵浦下,Ho:SSO被动Q开关Tm:YAP激光器产生稳定的微秒脉冲输出,发射激光波长为1.88μm.实验获得了130 m W的最大平均功率和5.2μJ的单脉冲能量输出,脉冲宽度为1.87μs,重复频率为25 kHz.通过引入声光调制器,设计搭建了基于Ho:SSO晶体混合调Q的Tm:YAP激光器,有效压缩了脉冲宽度至百纳秒量级.实验获得了最小213 ns的脉冲宽度,且在4 kHz重复频率下最大单脉冲能量达到34μJ,这项工作表明了新型Ho:SSO晶体作为1.9 mm波段可饱和吸收体的实际应用潜力.

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来源
《聊城大学学报（自然科学版）》|2020年第5期|38-4365|共7页
作者
白冰; 祝贝贝; 张斌; 薛喻宸; 杨晓涛; 李立;
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作者单位

哈尔滨工程大学物理与光电工程学院、纤维集成光学教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150001;

哈尔滨工程大学物理与光电工程学院、纤维集成光学教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150001;

哈尔滨工程大学物理与光电工程学院、纤维集成光学教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150001;

哈尔滨工程大学物理与光电工程学院、纤维集成光学教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150001;

哈尔滨工程大学动力与能源工程学院黑龙江哈尔滨150001;

哈尔滨工程大学物理与光电工程学院、纤维集成光学教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电磁波与电磁场;
关键词
Ho:SSO晶体; Tm:YAP激光器; 被动Q开关; 混合调Q;
入库时间 2022-08-19 05:36:38

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