MoO_(3)掺杂有机半导体NPB光电性质研究

摘要

在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)中引入过渡金属氧化物MoO_(3)制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明:MoO_(3)的引入明显提升了NPB的导电性能,在约2.0 V的外加电压下,100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm^(2),而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)电流密度达到了2530 mA/cm^(2).同样掺杂比例的NPB∶MoO_(3)薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO_(3)的额外吸收峰,表明体系中产生了电荷转移复合物NPB+-MoO-3,从而产生了额外的空穴载流子,进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明,MoO_(3)的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO_(3)(30 wt.%)薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级,NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)掺杂薄膜的荧光强度降低为零.