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王平; 李芳芳; 周小美; 李学帅; 谷雨; 李之锋; 吴思华; 杜晓钢;
江西理工大学材料与化学工程学院,江西,赣州,341000;
赣州威士达电子有限公司,江西,赣州,341000;
压敏陶瓷; 稀土掺杂; 柱状晶体;
机译:不同烧结温度下Al2O3掺杂对ZnO-Bi2O3基压敏电阻电性能的影响
机译:使用CR3 +离子掺杂的NayF4:Yb,ER(Y:88%,YB:10和ER:2%)亚微米晶体调节结构,激光依赖性和温度依赖性发光性能
机译:Cr2O3,SiO2和Al2O3掺杂量较低的低压ZnO-Bi2O3基压敏电阻的组织和特性研究
机译:液氮温度以下Mn掺杂ZnO-Bi2O3压敏电阻的介电性能
机译:延伸横向掺杂突变对深亚微米器件性能的影响。
机译:Er3 +掺杂的YF3 / YOF亚微米晶体的相变和强烈2.7μm发射
机译:内在诱捕对ZnO-Bi2O3基于压敏电阻性能特性的影响
机译:用于人眼安全激光器的共振泵浦Er3 +和pr3 +掺杂低声子 - 能量晶体的上转换效应。
机译:具有侧向不对称沟道和轻掺杂漏极的高性能亚微米MOSFET的制造方法
机译:Ga掺杂的晶体硅,在太阳能电池的生产方式及其制造方式中,使用Ga掺杂的晶体硅生产装置的零掺杂的Ga掺杂的晶体硅,以及Ga掺杂的晶体硅
机译:四分之一微米的亚微米沟道场效应晶体管,具有增大的源/漏区和轻掺杂的漏极
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