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崔虹云; 张海丰; 吴云飞;
佳木斯大学理学院;
多晶硅纳米膜; 欧姆接触; 接触电阻率;
机译:通过插入TiO 2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:使用Ti / Au / Ni / Au多层金属系统与n型多晶硅的低电阻欧姆接触
机译:恶劣环境压力传感器的金属线,多晶硅规和欧姆接触的长期稳定性
机译:高掺杂多晶硅纳米薄膜的压阻性敏感性和Al欧姆接触
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:热退火对PDAL / AU金属堆欧姆接触的影响P-Algan
机译:用于低电阻欧姆接触的n-Gasb和n-Gasb和n-GaInassb的有机金属气相外延
机译:在金属基底上沉积纳米膜Alpha-Al 2 Sub> O 3 Sub>(0001)的方法
机译:金属氧化物纳米膜固定基体,金属氧化物纳米生产方法以及金属氧化物纳米膜固定基体的生产方法
机译:金属氧化物纳米膜的制造方法,所获得的纳米膜以及具有该纳米膜的介电材料
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