半导体异质结中施主结合能的磁场效应

摘要

对单异质结界面系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响.对磁场中的AlxGa1-xAs/GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算,给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系.结果表明:杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大.