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曹嘉晟; 李淘; 于一榛; 于春蕾; 杨波; 马英杰; 邵秀梅; 李雪; 龚海梅;
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;
中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;
中国科学院研究生院;
短波红外; 铟镓砷探测器; 快速热退火; 扩散;
机译:平面型IngaAs / InP光电探测器的Zn扩散INP层的光学性质
机译:快速热退火对InGaAs / GaAs量子点红外光电探测器器件特性的影响
机译:快速热退火的超薄InGaAs / InP量子阱红外光电探测器的带隙位移
机译:基于砷化镓铟GaInAs / InP量子阱红外光电探测器的红外焦平面阵列
机译:在工作速度超过10 Gbps的导电基板上制造平面型顶部照明的基于InP的雪崩光电探测器并进行表征
机译:快速热退火对InGaas / Gaas量子点红外光电探测器器件特性的影响
机译:等离子体介导,InGaas / Inp,可调谐远红外探测器
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:InGaAs / InP红外光电探测器聚焦平面阵列(ODD)的结构及其制备方法
机译:使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器
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