改进的偏向写调度的混合内存缓冲区调度策略

摘要

提出一种新的相变存储器(PCM)和DRAM混合内存偏向写调度缓冲区页面调度策略(FWLRU).该策略根据PCM和DRAM在读上区别不大,所以只进行"写"热页调度进入DRAM,而不专门进行"读"热页的调度,同时在PCM和DRAM的页面置换时,不淘汰页面,采取互换的原则,以增加页面的命中率和减少PCM的写.实验结果表明,该策略能有效提高页面的命中率和减少PCM的写.