反激变换器MOSFET开通电流尖峰的PSIM仿真研究

季三飞; 谭王景; 雷蕊英; 王晴

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反激变换器MOSFET开通电流尖峰的PSIM仿真研究

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针对反激变换器在MOSFET开通时刻存在电流尖峰的事实,详细分析了变压器分布电容和箝位二极管结电容对电流尖峰的影响.最后在PSIM中建立了反激变换器的仿真模型,仿真结果证实:由于变压器的分布电容与箝位二极管的结电容都会在MOSFET开通时刻进行充电,从而产生较大的充电电流,最终体现为MOSFET的开通电流尖峰.

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来源
《湖南工业职业技术学院学报》 |2020年第2期|6-839|共4页
作者
季三飞; 谭王景; 雷蕊英; 王晴;
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作者单位

陕西工业职业技术学院电气工程学院陕西咸阳 712000;

陕西工业职业技术学院电气工程学院陕西咸阳 712000;

陕西工业职业技术学院电气工程学院陕西咸阳 712000;

陕西工业职业技术学院电气工程学院陕西咸阳 712000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变流器;
关键词
反激变换器; RCD箝位电路; 电流尖峰; 结电容;

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