GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

李兴鳌; 桑斌; 肖渊; 阮存军; 庞文宁; 尚仁成

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GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波长合适的圆偏振激光照射光阴极 ,来获得自旋极化的电子束 .详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程 ,并介绍了极化电子在极化 (e ,2e)

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来源
《湖北民族大学学报：自然科学版》 |2002年第3期|30-32|共3页
作者
李兴鳌; 桑斌; 肖渊; 阮存军; 庞文宁; 尚仁成;
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作者单位

湖北民族学院物理系;

清华大学物理系极化物理实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类极化与激子理论;
关键词
GaAs光致发射极化电子源; 极化电子束; 负电子亲和势; 极化(e.2e); 砷化钙半导体; 极化电子; 碰撞电离;

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