单分子中的TMR振荡

摘要

利用非平衡格林函数方法,导出了单分子中的电流公式,接着从电流公式出发,从数值上研究了TMR随系统参数的变化,发现:外加磁通、门电压、自旋-轨道相互作用系数等对单分子的TMR都有影响,并且对称性造成的内禀的自旋-轨道耦合起着重要作用,甚至能产生负TMR值,这样可以更好利用磁性隧道结,这在当前的纳米技术水平下是可以实现的.