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丁斌峰; 郑卫东;
北京大学核物理与核技术国家重点实验室;
廊坊师范学院物理与电子信息学院;
卢瑟福背散射/沟道; 最小产额; 弹性应变; 四方畸变;
机译:通过卢瑟福反向散射/沟道研究在Si(111)上具有AlN中间层的GaN外延层的深度依赖四方畸变
机译:使用rbs和沟道技术研究AlGaN外延层薄膜的深度依赖四方畸变
机译:具有高磁各向异性的四方形畸变超薄Fe_(0.5)Co_(0.5)外延膜的Gilbert阻尼研究
机译:在Si(111)上具有三层AlGaN中间增长的GaN癫痫术的深度依赖四方畸变的研究
机译:通过Jahn-Teller畸变和磁弹性耦合,四方扭曲的尖晶石铁氧体颗粒的磁各向异性和矫顽力
机译:(100)/(001)取向四方外延Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜在电场作用下超快90°域转换的原位观察
机译:Si(111)上GaN外延层的位错密度和四方畸变:RBS / C和TEM的比较研究
机译:晶格畸变,极化子传导和Jahn-Teller效应对La(sub 0.7)Ca(sub 0.5)CoO(sub 3)外延膜的磁电阻的影响
机译:从外延半导体结构的生长衬底上激光分离外延膜或外延膜层的方法(变化)
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