诱导效应指数与X—SiRxH3—x键的键裂能

摘要

利用诱导效应指数，建立了两个用计算硅烷基衍生物中Ｘ－Ｓｉ的键的键裂能的方法，２４个可比较值的平均偏差分别为３．１５和２．５７ｋＪ·ｍｏｌ＾－１同时，也得到两个用以计算硅烷基自由基的生成热的方法，４个可比较值的平均偏差分别为０．８５，１．１０ｋＪ·ｍｏｌ＾－１。