α-SiNxc-Si/α-SiNx双势垒结构的电荷存储特性

摘要

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,采用NH3等离子体预氮化法淀积α-SiNx介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次性原位制备了α-SiNxcSi/α-SiNx双势垒结构样品.通过原子力显微镜(AFM)测量,估算了nc-Si的密度为1.2×1011cm-2.通过C-V测量研究镶嵌在SiNx双势垒层中的nc-Si颗粒的电荷存储现象.C-V曲线出现明显的廻滞现象,迥滞窗口约为1 V,表明结构中电荷存储特性.根据迥滞窗口,计算了结构中存储电荷的密度,发现存储电荷密度与nc-Si层的晶粒密度具有相同的数量级.