具有滞回特性RTD开关单元的分析研究与设计

摘要

负阻器件共振隧道二极管RTD和局部有源的忆阻器两者均在I-V特性上具有微分负阻NDR特性且具有多种阻态。根据该特性,研究并设计了基于RTD的开关单元电路,仿真结果显示:该单元电路具有与忆阻器部分相似的滞回特性、阈值电压以及高低阻态特征。分析了RTD的MOS-NDR网络中MOS管的沟道宽长比W/L参数变化对RTD开关单元滞回特性的影响。设计的RTD开关单元与忆阻器特性上具有相似性,可应用于门限忆阻器适用的逻辑电路、存储器、神经网络和RTD与忆阻器相结合的研究设计中。