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刘祚麟; 吴传贵; 张万里; 李言荣;
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;
BST; 倒筒式; 射频溅射; 热释电系数; 探测率;
机译:碳掺杂对射频溅射MoS2 / a-C复合薄膜结构,力学性能和摩擦学性能的影响
机译:偏压对反应溅射纳米晶TiN薄膜结构,力学性能和腐蚀性能的影响
机译:基板温度对太阳能电池用射频溅射硫化锡薄膜结构和光学性能的影响
机译:射频溅射功率对铬薄膜结构性能的影响
机译:硒化铬/铁/砷化镓薄膜结构的交换偏压效应。
机译:用于倒钙钛矿太阳能电池的射频溅射无掺杂氧化镍薄膜的工程光学和电气性能
机译:衬底偏压对W掺入类金刚石薄膜结构和性能的影响
机译:基板温度,偏压,退火和Cr sub 3 si sub 2底涂层对射频溅射mos sub 2涂层摩擦学性能的综合影响的统计研究
机译:使用射频溅射装置的有机薄膜层的形成方法,射频溅射装置以及用于射频溅射装置的靶材形成装置
机译:适用于厚膜或薄膜结构的无源基底-带有倒圆的边缘,可覆盖膜层和金属化的侧触点
机译:至少具有一个具有压电性能和热释电性能测量值的传感器零位
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