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Pentcene/SiO2表面随温度变化的AFM研究

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以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素.

著录项

来源
《功能材料》 |2008年第6期|881-882|共2页
作者
陶春兰; 董茂军; 张旭辉; 张福甲;
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作者单位

兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
pentcene/SiO2; AFM; 表面形貌;

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