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基于ATLAS新型硅磁敏三极管特性仿真研究

     

摘要

通过分析矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性,采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型,研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对新型硅磁敏三极管I-V特性、磁电特性和温度特性的影响.仿真结果表明,新型硅磁敏三极管仿真结构模型具有正反向磁灵敏度、集电极电流具有负温度系数,与新型硅磁敏三极管实验特性比较,分析给出几何结构参数对新型硅磁敏三极管特性的影响.

著录项

  • 来源
    《黑龙江大学工程学报》|2011年第4期|84-89|共6页
  • 作者单位

    黑龙江大学 黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080;

    黑龙江大学 集成电路重点实验室,哈尔滨150080;

    黑龙江大学 黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080;

    黑龙江大学 集成电路重点实验室,哈尔滨150080;

    黑龙江大学 黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080;

    黑龙江大学 黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080;

    黑龙江大学 黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨150080;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN325.2;
  • 关键词

    新型硅磁敏三极管; 仿真结构模型; 磁灵敏度; ATLAS;

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