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DEVELOPMENT OF 50MW S-BAND KLYSTRON

机译:50MW S波段KLYSTRON的开发

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摘要

This letter reports the development of a 50MW S-band klystron in the Institute of Electronics,Chinese Academy of Sciences (IECAS). It adopted a structure of six-cavity and single output window. Under conditions of an RF (Radio Frequency) pulse width of 4μs, a beam voltage of 305.9kV and a beam current of 368A, the peak output power has achieved 51.4MW with an efficiency of 45.6% and a gain of 54dB.
机译:这封信报道了中国科学院电子研究所(IECAS)正在开发50MW S波段速调管。它采用六腔单输出窗口的结构。在RF(射频)脉冲宽度为4μs,射束电压为305.9kV,射束电流为368A的条件下,峰值输出功率已达到51.4MW,效率为45.6%,增益为54dB。

著录项

  • 来源
    《电子科学学刊(英文版)》 |2006年第3期|471-472|共2页
  • 作者

  • 作者单位

    Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;

    Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;

    Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;

    Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 计算技术、计算机技术;
  • 关键词

    50MW; S-band klystron; High peak power; Design ideas;

    机译:50MW;S波段速调管;高峰值功率;设计思路;
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