蔡氏电路中混沌现象与非线性电阻伏安曲线关系的研究

摘要

文章利用NIMultisim 10仿真软件对蔡氏电路中的混沌现象进行了计算机仿真研究,并且把蔡氏电路中的相图与非线性电阻的伏安曲线进行对比研究,给出电路出现混沌现象时与电路中非线性电阻伏安曲线的对应关系,以及电路中电阻的取值范围。仿真实验结果表明:当电阻R在1.486～1.890 kΩ时,电路中出现双螺旋吸引子的混沌现象,且R取不同值,图形形状有所不同。此时,电路处于正常振荡状态。R在1.890～1.960 kΩ之间,电路出现单吸引子混沌现象,且单吸引子在每次测量时,可能左右位置不同。由此得出结论:当非线性电阻阻值、电感量及电容容量固定时,电路中UA、UB两个信号的相图与电阻R取值有关,且电阻微小变化会引起相图较大变化。