聚噻吩及聚3-辛基噻吩结构与导电性能研究

摘要

采用化学氧化法在不同温度下制备聚噻吩和聚3-辛基噻吩,通过红外光谱(FTIR),X衍射分析(XRD),核磁共振谱图(NMR),X光电子能谱(XPS)和紫外可见光谱(UV-Vis)等手段对聚合物进行了研究。结果表明,聚噻吩侧链基团和制备温度会影响聚合物的构型结构,引起聚合物结晶度的变化。聚3-辛基噻吩结晶度最低,低温制备的聚噻吩结晶度最高。导电性能研究表明,聚噻吩的构型结构和结晶度直接影响其电导率。