砷化镓光导开关中流注890nm辐射的光致电离效应

刘鸿; 郑理; 杨洪军; 戴松晖; 王晓茜

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砷化镓光导开关中流注890nm辐射的光致电离效应

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分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890 nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890 nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890 nm自发辐射产生的最大载流子密度比流注内平均载流子密度至少小3个数量级.

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来源
《成都大学学报：自然科学版》 |2013年第3期|247-249|共3页
作者
刘鸿; 郑理; 杨洪军; 戴松晖; 王晓茜;
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作者单位

成都大学电子信息工程学院;

成都工业学院机电工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电器件;
关键词
光电子学; 砷化镓光导开关; 流注; 光致电离效应;

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